1. MMBT100A
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MMBT100A 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SOT-23 GEN PURP AMP

内部编号

3-MMBT100A

#1

数量:2500
1+¥0.8475
25+¥0.7705
100+¥0.7705
500+¥0.6934
1000+¥0.6934
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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MMBT100A产品详细规格

规格书 MMBT100A datasheet 规格书
PN100/A, MMBT100/A
文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 400mV @ 20mA, 200mA
电流 - 集电极截止(最大) 50nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 300 @ 10mA, 1V
功率 - 最大 350mW
频率转换 250MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.5
最小直流电流增益 240@100uA@1V|300@10mA@1V|100@100m...
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 350
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 250(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 75
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 45
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 250MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 20mA, 200mA
电流 - 集电极截止(最大) 50nA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 300 @ 10mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.5 A
集电极 - 基极电压 75 V
集电极 - 发射极电压 45 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 250 MHz
功率耗散 0.35 W
安装 Surface Mount
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
元件数 1
直流电流增益(最小值) 240
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
频率 250 MHz
集电极电流(DC ) 0.5 A
直流电流增益 240

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